سامسونگ تراشههای GAA دو نانومتری را برای دو شرکت استخراج ارز دیجیتال چینی تأمین خواهد کرد
مسیر سودآوری برای سامسونگ به این معنی است که این شرکت باید مشتریان زیادی را برای فرآیند ۲ نانومتری GAA خود جذب کند. تاکنون، Exynos 2600 به عنوان اولین SoC ثبت شده است که با این لیتوگرافی به تولید انبوه رسیده است، و تسلا نیز قراردادی چند میلیارد دلاری با این غول کرهای منعقد کرده است .
اکنون، آخرین گزارش حاکی از آن است که دو مشتری چینی برای سفارش GAA برای محصولات استخراج ارزهای دیجیتال آینده خود صف کشیدهاند، که نشان میدهد سامسونگ به آرامی در مسیر درست پیشرفت میکند. با این حال، هنوز به جایی نرسیده است که بتواند TSMC را به چالش بکشد.
طبق گزارش رسانه کرهای Hankyung،این دو تولیدکننده تجهیزات استخراج ارز دیجیتال چینی، MicroBT و Canaan هستند. طبق گزارشها، هر دو مشتری از تراشههای GAA دو نانومتری سامسونگ به عنوان «مغز» سختافزار استخراج ارز دیجیتال آینده خود استفاده خواهند کرد. MicroBT و Canaan در حال حاضر دومین و سومین تولیدکنندگان بزرگ این تجهیزات خاص در جهان هستند و Bitmain بزرگترین نهاد در این حوزه است.
با این حال، بیتماین (Bitmain) هنوز هیچ سفارشی به سامسونگ نداده است و در این گزارش آمده است که این شرکت به همکاری با TSMC ادامه میدهد، احتمالاً به دلیل دریافت به موقع سفارشها، دسترسی به فناوری پیشرفته و تواناییاش در غلبه بر بازده ضعیف، که مانعی است که سامسونگ هنوز با GAA دو نانومتری خود آن را ثابت نکرده است.
سامسونگ، تولید سفارشات MicroBT را آغاز کرده است و Canaan قصد دارد اولین سیلیکون خود را در اوایل سال 2026 به تولید برساند. انتظار میرود تحویلها در نیمه دوم سال آینده انجام شود. سفارشات هر دو شرکت استخراج ارز دیجیتال در خط تولید S3 سامسونگ در هواسئونگ، استان گیونگی-دو وارد مرحله تولید خواهد شد.
این سفارشها معادل حدود ۱۰ درصد از کل ظرفیت تولید ۲ نانومتری این شرکت است و ماهانه حدود ۲۰۰۰ ورق ۳۰۰ میلیمتری (۱۲ اینچی) تولید میشود. اگرچه حجم تولید قابل توجه نیست، اما ثابت میکند که سامسونگ میخواهد در جایگاهی برابر با TSMC قرار گیرد و قصد دارد تا حد امکان مشتریان بیشتری را برای این لیتوگرافی پیشرفته جذب کند.
پیش از این، گزارش شده بود که نمونههای اسنپدراگون ۸ الیت نسل ۵ با فرآیند ۲ نانومتری برای ارزیابی به کوالکام ارسال شدهاند ، اما رویکرد تأمین دوگانه که شامل سامسونگ نیز میشود، ممکن است تنها با عرضه اسنپدراگون ۸ الیت نسل ۶ در اواخر سال ۲۰۲۶ اتفاق بیفتد. برای همگام شدن با TSMC، پیش از این گزارش شده بود که سامسونگ طراحی اولیه فرآیند GAA نسل دوم ۲ نانومتری خود را تکمیل کرده است و همچنین در حال توسعه سومین نسخه آن است که با نام SF2P+ نیز شناخته میشود.
فناوری GAA دو نانومتری همچنین شاهد یک برنامه تولید در کارخانه تیلور سامسونگ واقع در تگزاس خواهد بود. اخیراً گزارش شده است که ASML تیمی را تشکیل میدهد که مسئول تحویل و نصب تجهیزات لازم برای شروع تولید ویفر نسل بعدی خواهد بود. با تکمیل این مرحله، تأسیسات ایالات متحده قادر به تولید بیش از ۱۵۰۰۰ ویفر در ماه تا سال ۲۰۲۷ است.
برای نوشتن دیدگاه باید وارد بشوید.